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台积电量产7nm+工艺 6nm将于2020年年底到来

TSMC 10月8日正式宣布,使用euv光刻技术的n7+(7nm+)工艺已经大量供应给客户,这将是TSMC乃至整个行业首个商业化的euv极紫外光刻技术。TSMC尚未公布专门使用7纳米+工艺的客户名单。目前,唯一可以确认的是麒麟990 5g将使用7纳米+工艺。amd的下一代zen 3架构一直以7nm+工艺为标志。

据TSMC介绍,euv光刻机已经能够稳定输出日常生产所需的250瓦功率,完全满足当前和未来新技术的要求。TSMC还表示,7纳米+是TSMC历史上最快的大规模生产工艺之一。从大规模生产的第二季度开始,产量迅速达到大规模生产一年多的7纳米工艺的水平。与7纳米相比,7纳米+可将晶体管密度提高15-20%,并改善功耗控制。

TSMC还将运行至6纳米、5纳米、3纳米和2纳米,其中6纳米(n6)相当于7纳米的升级版本。设计规则完全兼容。将继续采用euv技术。晶体管密度将比7纳米增加18%。预计将于2020年第一季度投入试生产,并将于年底大规模生产。

三星还计划在7纳米工艺节点上引入euv,但它一直受到产量问题的困扰,进度落后于TSMC。

Euv光刻技术早在20世纪80年代就已发展起来,最初计划用于70纳米工艺。极紫外光刻(Euv lithography)使用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可以将曝光波长降低到13.5纳米,促进半导体向更先进技术的发展。然而,光刻机的指标已经不能满足需求,高成本迫使芯片制造商选择更复杂的浸没光刻、双曝光甚至多次曝光来实现新技术的研发。

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